金剛石鍍膜介紹

金剛石具有高硬度，高彈性模量，良好的導熱性能與化學穩(wěn)定性，以及其低摩擦系數(shù)，耐腐蝕等優(yōu)點，使其成為現(xiàn)代機械加工中較為理想的涂層材料。

目前制備金剛石薄膜制備方法主要有化學氣相沉積(CVD)和高溫高壓合成兩種方法。其中金剛石薄膜的CVD法又主要分為微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)和熱輔助化學氣相沉積(HFCVD)兩種。但模擬天然金剛石生成環(huán)境的高溫高壓法會限制薄膜大小和質量；當下的HFCVD技術雖然可以較快地制備出大面積、高均勻度的金剛石薄膜，但所含雜質較高；現(xiàn)較為成熟的MPCVD裝置可以制備出高質量、較大面積的金剛石薄膜，但MPCVD法制備的金剛石薄膜仍然具有晶粒尺寸較大的問題。

  MPCVD 法制備高質量的單晶金剛石需要十分嚴格的生長條件，在生長過程中會受到各方面因素的影響，同時沉積參數(shù)之間也會相互產生影響，其中產生主要影響的有襯底預處理、微波功率密度及甲烷濃度、氮氣的添加等。